AONV095A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AONV095A60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: DFN8X8-4L
Аналог (замена) для AONV095A60
AONV095A60 Datasheet (PDF)
aonv095a60.pdf

AONV095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , AONY36304 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , AONZ66412 , 2SK3568 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 , AONV180A60 , AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 , AONV420A60 .
History: VBMB16R08 | IRFY110 | IRFU9220PBF | SSM5N05FU | AM7960N | IPB034N06N3G | SI7392ADP
History: VBMB16R08 | IRFY110 | IRFU9220PBF | SSM5N05FU | AM7960N | IPB034N06N3G | SI7392ADP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775