Справочник MOSFET. AONV095A60

 

AONV095A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONV095A60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8-4L
 

 Аналог (замена) для AONV095A60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV095A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  aosemi
 aonv095a60.pdf pdf_icon

AONV095A60

AONV095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , AONY36304 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , AONZ66412 , 2SK3568 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 , AONV180A60 , AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 , AONV420A60 .

 

 
Back to Top

 


 
.