AONV095A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONV095A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-4L

Аналог (замена) для AONV095A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV095A60 даташит

 ..1. Size:498K  aosemi
 aonv095a60.pdf pdf_icon

AONV095A60

AONV095A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:607K  aosemi
 aonv070v65g1.pdf pdf_icon

AONV095A60

AONV070V65G1 650V Enhancement Mode GaN Transistor Features Product Summary 650V Enhancement Mode GaN Transistor VDS @ TJ, max 650V Normal-off Design IDM 45A Ultra-low Qg RDS(ON) 70m No Qrr Qg, typ 6.9nC Low Inductance Eoss @ 400V 6 J Applications Server Power Supplies High-Frequency Converters Resonant Topologies Pin Configuration and Pin Nam

Другие IGBT... AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354, AONY36306, AONY36356, AONZ66412, 4435, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70, AONV210A60, AONV310A60, AONV420A60