AONV200A70 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONV200A70 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: DFN8X8-4L
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Búsqueda de reemplazo de AONV200A70 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AONV200A70 datasheet
aonv200a70.pdf
AONV200A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aonv210a60.pdf
AONV210A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AONY36306, AONY36356, AONZ66412, AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AON6380, AONV210A60, AONV310A60, AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: NID9N05CL | AGM15T06C
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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