AONV200A70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONV200A70  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AONV200A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV200A70 даташит

 ..1. Size:497K  aosemi
 aonv200a70.pdf pdf_icon

AONV200A70

AONV200A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:661K  aosemi
 aonv210a60.pdf pdf_icon

AONV200A70

AONV210A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AONY36306, AONY36356, AONZ66412, AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AON6380, AONV210A60, AONV310A60, AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610