AONV210A60 Todos los transistores

 

AONV210A60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONV210A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8-4L
 

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AONV210A60 datasheet

 ..1. Size:661K  aosemi
 aonv210a60.pdf pdf_icon

AONV210A60

AONV210A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:497K  aosemi
 aonv200a70.pdf pdf_icon

AONV210A60

AONV200A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: JMTG100P03A | AOT20C60

 

 
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