AONV210A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AONV210A60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: DFN8X8-4L
AONV210A60 Datasheet (PDF)
aonv210a60.pdf

AONV210A60TM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aonv200a70.pdf

AONV200A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AONY36356 , AONZ66412 , AONV095A60 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 , AONV180A60 , AONV200A70 , 4N60 , AONV310A60 , AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , AOLF66610 , AOLF66910 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor