AOLF66417 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOLF66417

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: LFPAK5X6-4L

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AOLF66417 datasheet

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AOLF66417

AOLF66417 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOLF66417

AOLF66413 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOLF66417

AOLF66412 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 352A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOLF66417

AOLF66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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