Справочник MOSFET. AOLF66417

 

AOLF66417 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOLF66417
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK5X6-4L
 

 Аналог (замена) для AOLF66417

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOLF66417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  aosemi
 aolf66417.pdf pdf_icon

AOLF66417

AOLF66417TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:421K  aosemi
 aolf66413.pdf pdf_icon

AOLF66417

AOLF66413TM 40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:436K  aosemi
 aolf66412.pdf pdf_icon

AOLF66417

AOLF66412TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 352A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:614K  aosemi
 aolf66610.pdf pdf_icon

AOLF66417

AOLF66610TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONV180A60 , AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 , AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , IRLB4132 , AOLF66610 , AOLF66910 , AOSN32128 , AOSN32338C , AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 .

History: HM1N60R | HM2807D | 2SK2228 | AP4434AGYT-HF | KUK7606-75B | SSM3K329R | IXTJ6N150

 

 
Back to Top

 


 
.