AOLF66610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOLF66610
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 294 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK5X6-4L
Búsqueda de reemplazo de AOLF66610 MOSFET
AOLF66610 Datasheet (PDF)
aolf66610.pdf
AOLF66610TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
aolf66413.pdf
AOLF66413TM 40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
aolf66417.pdf
AOLF66417TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
aolf66412.pdf
AOLF66412TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 352A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 , AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , NCEP15T14 , AOLF66910 , AOSN32128 , AOSN32338C , AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C .
History: IRFP360PBF | IRFP3703PBF | FQPF12P20XDTU | BL60N25-F | MSF4N65 | UTT25P06
History: IRFP360PBF | IRFP3703PBF | FQPF12P20XDTU | BL60N25-F | MSF4N65 | UTT25P06
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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