AOLF66610 Todos los transistores

 

AOLF66610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOLF66610
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 294 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK5X6-4L
 

 Búsqueda de reemplazo de AOLF66610 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOLF66610 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  aosemi
 aolf66610.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66610TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:421K  aosemi
 aolf66413.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66413TM 40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:432K  aosemi
 aolf66417.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66417TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:436K  aosemi
 aolf66412.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66412TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 352A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 , AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , AON6380 , AOLF66910 , AOSN32128 , AOSN32338C , AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C .

History: TP0101TS-T1 | BRFL8N65

 

 
Back to Top

 


 
.