AOLF66610. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOLF66610

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 294 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: LFPAK5X6-4L

Аналог (замена) для AOLF66610

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOLF66610 даташит

 ..1. Size:614K  aosemi
 aolf66610.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:421K  aosemi
 aolf66413.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66413 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:432K  aosemi
 aolf66417.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66417 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:436K  aosemi
 aolf66412.pdf pdf_icon

AOLF66610

AOLF66412 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 352A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONV200A70, AONV210A60, AONV310A60, AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, NCEP15T14, AOLF66910, AOSN32128, AOSN32338C, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C