AOLF66910 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOLF66910 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOLF66910

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 187 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: LFPAK5X6-4L

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AOLF66910 datasheet

..1. Size:443K aosemi
aolf66910.pdf pdf_icon

AOLF66910 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 187A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:421K aosemi
aolf66413.pdf pdf_icon

AOLF66413 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:432K aosemi
aolf66417.pdf pdf_icon

AOLF66417 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:614K aosemi
aolf66610.pdf pdf_icon

AOLF66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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