Справочник MOSFET. AOLF66910

 

AOLF66910 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOLF66910
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 187 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK5X6-4L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOLF66910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  aosemi
 aolf66910.pdf pdf_icon

AOLF66910

AOLF66910TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 187A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:421K  aosemi
 aolf66413.pdf pdf_icon

AOLF66910

AOLF66413TM 40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 357A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:432K  aosemi
 aolf66417.pdf pdf_icon

AOLF66910

AOLF66417TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 200A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:614K  aosemi
 aolf66610.pdf pdf_icon

AOLF66910

AOLF66610TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 294A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONV210A60 , AONV310A60 , AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , AOLF66610 , IRFP250 , AOSN32128 , AOSN32338C , AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C .

History: SSF2439E | 3N80G-TMS4-R | AP9467GH

 

 
Back to Top

 


 
.