AOSN32338C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSN32338C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: SC70

 Búsqueda de reemplazo de AOSN32338C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSN32338C datasheet

 ..1. Size:313K  aosemi
 aosn32338c.pdf pdf_icon

AOSN32338C

AOSN32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:292K  aosemi
 aosn32128.pdf pdf_icon

AOSN32338C

AOSN32128 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Otros transistores... AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, IRFP450, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C