AOSN32338C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOSN32338C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
Тип корпуса: SC70
Аналог (замена) для AOSN32338C
AOSN32338C Datasheet (PDF)
aosn32338c.pdf

AOSN32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aosn32128.pdf

AOSN3212820V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)
Другие MOSFET... AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , AOLF66610 , AOLF66910 , AOSN32128 , 20N50 , AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C .
History: IRF523FI | MTE050N15BRV8 | WMO80R720S
History: IRF523FI | MTE050N15BRV8 | WMO80R720S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60