AOSN32338C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSN32338C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для AOSN32338C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSN32338C даташит

 ..1. Size:313K  aosemi
 aosn32338c.pdf pdf_icon

AOSN32338C

AOSN32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:292K  aosemi
 aosn32128.pdf pdf_icon

AOSN32338C

AOSN32128 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие IGBT... AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, IRFP450, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C