AOSX21319C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSX21319C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SC70-6L

 Búsqueda de reemplazo de AOSX21319C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSX21319C datasheet

 ..1. Size:342K  aosemi
 aosx21319c.pdf pdf_icon

AOSX21319C

AOSX21319C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, AOSN32338C, TK10A60D, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C