AOSX21319C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSX21319C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SC70-6L

Аналог (замена) для AOSX21319C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSX21319C даташит

 ..1. Size:342K  aosemi
 aosx21319c.pdf pdf_icon

AOSX21319C

AOSX21319C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие IGBT... AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, AOSN32338C, TK10A60D, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C