Справочник MOSFET. AOSX21319C

 

AOSX21319C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSX21319C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6L
 

 Аналог (замена) для AOSX21319C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSX21319C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  aosemi
 aosx21319c.pdf pdf_icon

AOSX21319C

AOSX21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие MOSFET... AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , AOLF66610 , AOLF66910 , AOSN32128 , AOSN32338C , IRFZ24N , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C , AOSD32338C .

History: CS3N50DD

 

 
Back to Top

 


 
.