AOSD21307 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOSD21307
   Código: 21307
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOSD21307

AOSD21307 Datasheet (PDF)

..1. Size:315K aosemi
aosd21307.pdf

AOSD2130730V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -9A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

7.1. Size:367K aosemi
aosd21313c.pdf

AOSD21313C30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.7A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

7.2. Size:383K aosemi
aosd21311c.pdf

AOSD21311C30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

9.1. Size:687K aosemi
aosd26313c.pdf

AOSD26313C30V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryP-Channel N-Channel Latest Advanced Trench TechnologyVDS= -30V VDS= 30V Low RDS(ON)ID=-5.7A (VGS=-10V) ID= 7A (VGS=10V) High Current CapabilityRDS(ON) RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant

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Liste

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