AOSD21307 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSD21307

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: SO8

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AOSD21307 datasheet

 ..1. Size:315K  aosemi
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AOSD21307

AOSD21307 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -9A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AOSD21307

AOSD21313C 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.7A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AOSD21307

AOSD21311C 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:687K  aosemi
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AOSD21307

AOSD26313C 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary P-Channel N-Channel Latest Advanced Trench Technology VDS= -30V VDS= 30V Low RDS(ON) ID=-5.7A (VGS=-10V) ID= 7A (VGS=10V) High Current Capability RDS(ON) RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant

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