Справочник MOSFET. AOSD21307

 

AOSD21307 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSD21307
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD21307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  aosemi
 aosd21307.pdf pdf_icon

AOSD21307

AOSD2130730V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -9A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:367K  aosemi
 aosd21313c.pdf pdf_icon

AOSD21307

AOSD21313C30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.7A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:383K  aosemi
 aosd21311c.pdf pdf_icon

AOSD21307

AOSD21311C30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:687K  aosemi
 aosd26313c.pdf pdf_icon

AOSD21307

AOSD26313C30V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryP-Channel N-Channel Latest Advanced Trench TechnologyVDS= -30V VDS= 30V Low RDS(ON)ID=-5.7A (VGS=-10V) ID= 7A (VGS=10V) High Current CapabilityRDS(ON) RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.