AOSP21321 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSP21321

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de AOSP21321 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSP21321 datasheet

 ..1. Size:258K  aosemi
 aosp21321.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -11A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:375K  aosemi
 aosp21311c.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -6.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:295K  aosemi
 aosp21357.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -16A High Current capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.3. Size:308K  aosemi
 aosp21307.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, RFP50N06, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925