AOSP21321 Todos los transistores

 

AOSP21321 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSP21321
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AOSP21321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  aosemi
 aosp21321.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -11A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:295K  aosemi
 aosp21357.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -16A High Current capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:308K  aosemi
 aosp21307.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C , AOSD32338C , SKD502T , AOSP32320C , AOSP36326C , AOSP62530 , AOSP62626E , AOSP66919 , AOSP66920 , AOSP66923 , AOSP66925 .

History: STU27N3LH5

 

 
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