AOSP21321. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSP21321

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP21321

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP21321 даташит

 ..1. Size:258K  aosemi
 aosp21321.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -11A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:375K  aosemi
 aosp21311c.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -6.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:295K  aosemi
 aosp21357.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -16A High Current capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.3. Size:308K  aosemi
 aosp21307.pdf pdf_icon

AOSP21321

AOSP21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, RFP50N06, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925