AOSP36326C Todos los transistores

 

AOSP36326C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSP36326C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOSP36326C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AOSP62626E | 2SK1001 | BUK9Y58-75B | LSF60R240HT | IRFU120PBF | ATM2N65TE | FDMC8884

 

 
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