AOSP36326C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOSP36326C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de AOSP36326C MOSFET
AOSP36326C Datasheet (PDF)
aosp36326c.pdf

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aosp32320c.pdf

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aosp32314.pdf

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aosp32368.pdf

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C , AOSD32338C , AOSP21321 , AOSP32320C , 7N60 , AOSP62530 , AOSP62626E , AOSP66919 , AOSP66920 , AOSP66923 , AOSP66925 , AOSS21115C , AOSS21311C .
History: SI3424BDV | AP2302GN | MCP87022 | AONS18314 | IRF241 | IXFR44N80P | BLP02N06-D
History: SI3424BDV | AP2302GN | MCP87022 | AONS18314 | IRF241 | IXFR44N80P | BLP02N06-D



Liste
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