AOSP36326C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSP36326C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de AOSP36326C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSP36326C datasheet

 ..1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP36326C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AO3407, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C