Справочник MOSFET. AOSP36326C

 

AOSP36326C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP36326C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSP36326C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP36326C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C , AOSD32338C , AOSP21321 , AOSP32320C , 7N60 , AOSP62530 , AOSP62626E , AOSP66919 , AOSP66920 , AOSP66923 , AOSP66925 , AOSS21115C , AOSS21311C .

 

 
Back to Top

 


 
.