AOSP36326C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSP36326C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP36326C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP36326C даташит

 ..1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP36326C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP36326C

AOSP32368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AO3407, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C