AOSS21115C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSS21115C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de AOSS21115C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSS21115C datasheet

 ..1. Size:291K  aosemi
 aoss21115c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21115C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:383K  aosemi
 aoss21311c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:349K  aosemi
 aoss21319c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21319C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:322K  aosemi
 aoss21329.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21329 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, 2N60, AOSS21311C, AOSS21319C, AOSS21329, AOSS32128, AOSS32136C, AOSS32334C, AOSS32338C, AO3160E