AOSS21115C Todos los transistores

 

AOSS21115C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSS21115C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AOSS21115C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  aosemi
 aoss21115c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:383K  aosemi
 aoss21311c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:349K  aosemi
 aoss21319c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:322K  aosemi
 aoss21329.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS2132930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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History: AP9950AGH | FDT461N | AM7304N | NCEP6060GU | SED8830P | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
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