Справочник MOSFET. AOSS21115C

 

AOSS21115C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSS21115C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSS21115C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  aosemi
 aoss21115c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:383K  aosemi
 aoss21311c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:349K  aosemi
 aoss21319c.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:322K  aosemi
 aoss21329.pdf pdf_icon

AOSS21115C

AOSS2132930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF8236 | CHM8207JGP

 

 
Back to Top

 


 
.