AOSS32136C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSS32136C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de AOSS32136C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSS32136C datasheet

 ..1. Size:333K  aosemi
 aoss32136c.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32136C 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:305K  aosemi
 aoss32128.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32128 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:332K  aosemi
 aoss32334c.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32334C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:338K  aosemi
 aoss32338c.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C, AOSS21319C, AOSS21329, AOSS32128, IRFB31N20D, AOSS32334C, AOSS32338C, AO3160E, AOT080A60L, AOT095A60FDL, AOT095A60L, AOT125A60L, AOT160A60L