AOSS32136C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSS32136C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AOSS32136C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSS32136C даташит

 ..1. Size:333K  aosemi
 aoss32136c.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32136C 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:305K  aosemi
 aoss32128.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32128 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:332K  aosemi
 aoss32334c.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32334C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:338K  aosemi
 aoss32338c.pdf pdf_icon

AOSS32136C

AOSS32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C, AOSS21319C, AOSS21329, AOSS32128, IRFB31N20D, AOSS32334C, AOSS32338C, AO3160E, AOT080A60L, AOT095A60FDL, AOT095A60L, AOT125A60L, AOT160A60L