AOT080A60L Todos los transistores

 

AOT080A60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOT080A60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 328 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AOT080A60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  aosemi
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AOT080A60L

AOT080A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOSS21311C , AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C , AOSS32334C , AOSS32338C , AO3160E , RU7088R , AOT095A60FDL , AOT095A60L , AOT125A60L , AOT160A60L , AOT190A60CL , AOT190A60L , AOT280A60L , AOT29S50L .

History: AP65PN2R6I | TPA80R300C | VBZE100N03 | BUK104-50S | S-LBSS260DW1T1G | PK615BMA | SSM4924GM

 

 
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