AOT080A60L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT080A60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT080A60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT080A60L даташит

 ..1. Size:467K  aosemi
 aot080a60l.pdf pdf_icon

AOT080A60L

AOT080A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOSS21311C, AOSS21319C, AOSS21329, AOSS32128, AOSS32136C, AOSS32334C, AOSS32338C, AO3160E, IRFZ48N, AOT095A60FDL, AOT095A60L, AOT125A60L, AOT160A60L, AOT190A60CL, AOT190A60L, AOT280A60L, AOT29S50L