AOT080A60L - аналоги и даташиты транзистора

 

AOT080A60L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOT080A60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT080A60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT080A60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  aosemi
 aot080a60l.pdf pdf_icon

AOT080A60L

AOT080A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOSS21311C , AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C , AOSS32334C , AOSS32338C , AO3160E , 60N06 , AOT095A60FDL , AOT095A60L , AOT125A60L , AOT160A60L , AOT190A60CL , AOT190A60L , AOT280A60L , AOT29S50L .

History: IRF9362 | SKI04024 | AP2609GYT-HF | IRF7750 | IRF9310 | AP2613GY-HF

 

 
Back to Top

 


 
.