AOT095A60L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOT095A60L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 378 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO220

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AOT095A60L datasheet

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AOT095A60L

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOT095A60L

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOT095A60L

AOT095A60FDL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOSS21329, AOSS32128, AOSS32136C, AOSS32334C, AOSS32338C, AO3160E, AOT080A60L, AOT095A60FDL, IRF830, AOT125A60L, AOT160A60L, AOT190A60CL, AOT190A60L, AOT280A60L, AOT29S50L, AOT360A70L, AOT380A60CL