AOT095A60L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT095A60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 378 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT095A60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT095A60L даташит

 ..1. Size:499K  aosemi
 aot095a60l.pdf pdf_icon

AOT095A60L

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 ..2. Size:499K  aosemi
 aotf095a60l aot095a60l aob095a60l.pdf pdf_icon

AOT095A60L

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:451K  aosemi
 aot095a60fdl.pdf pdf_icon

AOT095A60L

AOT095A60FDL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOSS21329, AOSS32128, AOSS32136C, AOSS32334C, AOSS32338C, AO3160E, AOT080A60L, AOT095A60FDL, IRF830, AOT125A60L, AOT160A60L, AOT190A60CL, AOT190A60L, AOT280A60L, AOT29S50L, AOT360A70L, AOT380A60CL