AOTF600A60L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOTF600A60L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTF600A60L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO220F

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AOTF600A60L datasheet

..1. Size:483K aosemi
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AOTF600A60L/AOT600A60L/AOB600A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

..2. Size:530K aosemi
aotf600a60l aot600a60l aob600a60l.pdf pdf_icon

6.1. Size:755K aosemi
aotf600a70fl aot600a70fl.pdf pdf_icon

AOTF600A70FL/AOT600A70FL TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

6.2. Size:793K aosemi
aotf600a70l.pdf pdf_icon

AOTF600A70L/AOT600A70L/AOB600A70L TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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