AOK031A60FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK031A60FD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TO247

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AOK031A60FD datasheet

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AOK031A60FD

AOK031A60FD TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 304A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOK031A60FD

ALPHA & OMEGA AOK033V120X2Q SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, with low R DS, ON I 120 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 33 m DS(ON), typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 226 nC rr Low reverse recovery d

 9.2. Size:984K  aosemi
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AOK031A60FD

ALPHA & OMEGA AOK033V120X2 SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J,max Low loss, with low R DS(ON) I 120 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 33 m DS(ON),typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 226 nC rr Low reverse recovery diod

Otros transistores... AOTF600A70FL, AOTF600A70L, AOTF66613L, AOTF66616L, AOTF66811L, AOTF66919L, AOTF66920L, AOTF780A70L, 2N7002, AOK040A60, AOK042A60FD, AOK065A60, AOK065A60FD, AOK095A60, AOK095A60FD, AOK095A60FDL, AOK125A60