AOK031A60FD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOK031A60FD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AOK031A60FD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK031A60FD даташит

 ..1. Size:460K  aosemi
 aok031a60fd.pdf pdf_icon

AOK031A60FD

AOK031A60FD TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 304A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:988K  aosemi
 aok033v120x2q.pdf pdf_icon

AOK031A60FD

ALPHA & OMEGA AOK033V120X2Q SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, with low R DS, ON I 120 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 33 m DS(ON), typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 226 nC rr Low reverse recovery d

 9.2. Size:984K  aosemi
 aok033v120x2.pdf pdf_icon

AOK031A60FD

ALPHA & OMEGA AOK033V120X2 SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J,max Low loss, with low R DS(ON) I 120 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 33 m DS(ON),typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 226 nC rr Low reverse recovery diod

Другие IGBT... AOTF600A70FL, AOTF600A70L, AOTF66613L, AOTF66616L, AOTF66811L, AOTF66919L, AOTF66920L, AOTF780A70L, 2N7002, AOK040A60, AOK042A60FD, AOK065A60, AOK065A60FD, AOK095A60, AOK095A60FD, AOK095A60FDL, AOK125A60