AOK065A60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK065A60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO247

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AOK065A60 datasheet

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AOK065A60

AOK065A60 TM 600V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 168A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOK065A60

AOK065A60FD TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 200A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOK065A60

AOK065V65X2 650V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 650V DS J, max Low loss, fast switching speeds with low R G I 85A DM Optimized drive voltage (V =15V) GS R 65m DS(ON), typ for broad driver compatibility Q 104nC rr Robust body diode and low Qrr E @ 400V 11 J OSS 100% UIS Tested App

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AOK065A60

AOK065V120X2 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, fast switching speeds with low R G I 85 A DM Optimized drive voltage (V = 15 V) GS R 65 m DS(ON), typ for broad driver compatibility Q 155 nC rr Robust body diode and low Qrr E @ 800 V 30 J OSS 100% UI

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