AOK065A60 Todos los transistores

 

AOK065A60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK065A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AOK065A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  aosemi
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AOK065A60

AOK065A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 168A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.1. Size:470K  aosemi
 aok065a60fd.pdf pdf_icon

AOK065A60

AOK065A60FDTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 200A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: 2SK3609-01 | NVTFS4C08N | VS4618AE | PSMN5R0-80PS | NCEP016N85LL | JCS50N06VH | IXTA3N50D2

 

 
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