AOK065A60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOK065A60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для AOK065A60
AOK065A60 Datasheet (PDF)
aok065a60.pdf
AOK065A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 168A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aok065a60fd.pdf
AOK065A60FDTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 200A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOTF66616L , AOTF66811L , AOTF66919L , AOTF66920L , AOTF780A70L , AOK031A60FD , AOK040A60 , AOK042A60FD , IRLB4132 , AOK065A60FD , AOK095A60 , AOK095A60FD , AOK095A60FDL , AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL .
History: BLP02N08-P | IPS60R400CE | SPW17N80C3 | 2N60L-TA3-T | IRFP340PBF | BLS60R150F-P
History: BLP02N08-P | IPS60R400CE | SPW17N80C3 | 2N60L-TA3-T | IRFP340PBF | BLS60R150F-P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c



