AOK66914 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOK66914 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK66914

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO247

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AOK66914 datasheet

..1. Size:368K aosemi
aok66914.pdf pdf_icon

AOK66914 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:375K aosemi
aok66613.pdf pdf_icon

AOK66613 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:375K aosemi
aok66518.pdf pdf_icon

AOK66518 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

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