AOK66914. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOK66914

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AOK66914

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK66914 даташит

 ..1. Size:368K  aosemi
 aok66914.pdf pdf_icon

AOK66914

AOK66914 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:375K  aosemi
 aok66613.pdf pdf_icon

AOK66914

AOK66613 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:375K  aosemi
 aok66518.pdf pdf_icon

AOK66914

AOK66518 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOK095A60FDL, AOK125A60, AOK125A60FDL, AOK160A60, AOK160A60FDL, AOK2500L, AOK66518, AOK66613, IRF1010E, AOI1R4A70, AOI21357, AOI360A70, AOI380A60C, AOI450A70, AOI600A60, AOI600A70, AOI600A70R