AOI21357 Todos los transistores

 

AOI21357 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOI21357
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251A
 

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AOI21357 datasheet

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AOI21357

AOD21357/AOI21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AON6380 , AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 .

History: JMTG100P03A | JMSL1009BUQ

 

 
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