AOI21357. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOI21357

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO251A

Аналог (замена) для AOI21357

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI21357 даташит

 ..1. Size:381K  aosemi
 aoi21357.pdf pdf_icon

AOI21357

AOD21357/AOI21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:381K  aosemi
 aod21357 aoi21357.pdf pdf_icon

AOI21357

AOD21357/AOI21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие IGBT... AOK125A60FDL, AOK160A60, AOK160A60FDL, AOK2500L, AOK66518, AOK66613, AOK66914, AOI1R4A70, AON6380, AOI360A70, AOI380A60C, AOI450A70, AOI600A60, AOI600A70, AOI600A70R, AOI950A70, AOY66620