AOI21357 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOI21357
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO251A
Аналог (замена) для AOI21357
AOI21357 Datasheet (PDF)
aoi21357.pdf
AOD21357/AOI2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)
Другие MOSFET... AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AON6380 , AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 .
History: STU10N60M2 | DH850N10 | MTP162M3 | IRFPE20 | 25N10L-TM3-T | MTA090N02KC3
History: STU10N60M2 | DH850N10 | MTP162M3 | IRFPE20 | 25N10L-TM3-T | MTA090N02KC3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885


