AOD1R4A70 Todos los transistores

 

AOD1R4A70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD1R4A70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AOD1R4A70 Datasheet (PDF)

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AOD1R4A70

AOD1R4A70/AOI1R4A70TM700V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 , AOY66919 , AOY66920 , AOY66923 , P0903BDG , AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 , AOD32324 , AOD32326 , AOD32334C , AOD360A70 , AOD380A60 .

History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
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