Справочник MOSFET. AOD1R4A70

 

AOD1R4A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD1R4A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AOD1R4A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD1R4A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  aosemi
 aod1r4a70.pdf pdf_icon

AOD1R4A70

AOD1R4A70/AOI1R4A70TM700V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 , AOY66919 , AOY66920 , AOY66923 , P0903BDG , AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 , AOD32324 , AOD32326 , AOD32334C , AOD360A70 , AOD380A60 .

History: VS6018BS | CS6661 | SVG104R5NS6TR | 6N80G-TF3-T | 2SK1733 | NVTR4502P

 

 
Back to Top

 


 
.