AOD600A60 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOD600A60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD600A60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252

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AOD600A60 datasheet

..1. Size:486K aosemi
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AOD600A60/AOI600A60 TM 600V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

..2. Size:486K aosemi
aod600a60.pdf pdf_icon

7.1. Size:660K aosemi
aod600a70 aoi600a70.pdf pdf_icon

AOD600A70/AOI600A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

7.2. Size:904K aosemi
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AOD600A70R/AOI600A70R TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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