AOD780A70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD780A70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de AOD780A70 MOSFET
AOD780A70 Datasheet (PDF)
aod780a70.pdf

AOD780A70/AOI780A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AOD600A70 , AOD600A70R , AOD66616 , AOD66620 , AOD66643 , AOD66919 , AOD66920 , AOD66923 , NCEP15T14 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 .
History: PE532DX | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | IXTT20N50D | 2N6917 | IRHNJ57234SE
History: PE532DX | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | IXTT20N50D | 2N6917 | IRHNJ57234SE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883