AOD780A70 Todos los transistores

 

AOD780A70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD780A70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de AOD780A70 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOD780A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  aosemi
 aod780a70.pdf pdf_icon

AOD780A70

AOD780A70/AOI780A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOD600A70 , AOD600A70R , AOD66616 , AOD66620 , AOD66643 , AOD66919 , AOD66920 , AOD66923 , IRF1405 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 .

History: IXTP7N50A | IXTP450P2 | APM6010K | DCC040M65G2 | AOW190A60C | 1N65G-TA3-T | FTK3N80I

 

 
Back to Top

 


 
.