AOD780A70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD780A70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AOD780A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD780A70 даташит

 ..1. Size:513K  aosemi
 aod780a70.pdf pdf_icon

AOD780A70

AOD780A70/AOI780A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 ..2. Size:513K  aosemi
 aod780a70 aoi780a70.pdf pdf_icon

AOD780A70

AOD780A70/AOI780A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOD600A70, AOD600A70R, AOD66616, AOD66620, AOD66643, AOD66919, AOD66920, AOD66923, IRF1405, AOD950A70, AOD609G, AOW125A60, AOW190A60C, AOW360A70, AOW66613, AOW66616, AOWF095A60