AOW190A60C Todos los transistores

 

AOW190A60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOW190A60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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AOW190A60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  aosemi
 aow190a60c.pdf pdf_icon

AOW190A60C

AOWF190A60C/AOW190A60CTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOD66643 , AOD66919 , AOD66920 , AOD66923 , AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , IRF830 , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , AOWF360A70 .

History: DCC040M65G2 | IPD053N08N3G | APM6010K | IPI020N06N | IXTP7N45 | DCCF016M120G2 | FTK3N80I

 

 
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