AOW190A60C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOW190A60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для AOW190A60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW190A60C даташит

 ..1. Size:464K  aosemi
 aow190a60c.pdf pdf_icon

AOW190A60C

AOWF190A60C/AOW190A60C TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 ..2. Size:464K  aosemi
 aowf190a60c aow190a60c.pdf pdf_icon

AOW190A60C

AOWF190A60C/AOW190A60C TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOD66643, AOD66919, AOD66920, AOD66923, AOD780A70, AOD950A70, AOD609G, AOW125A60, IRF830, AOW360A70, AOW66613, AOW66616, AOWF095A60, AOWF125A60, AOWF160A60, AOWF190A60C, AOWF360A70