Справочник MOSFET. AOW190A60C

 

AOW190A60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOW190A60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для AOW190A60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW190A60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  aosemi
 aow190a60c.pdf pdf_icon

AOW190A60C

AOWF190A60C/AOW190A60CTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOD66643 , AOD66919 , AOD66920 , AOD66923 , AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , IRF1405 , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , AOWF360A70 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.