AOWF600A70 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOWF600A70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOWF600A70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO262F

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AOWF600A70 datasheet

..1. Size:708K aosemi
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AOWF600A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

0.1. Size:463K aosemi
aowf600a70f.pdf pdf_icon

AOWF600A70F TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

6.1. Size:436K aosemi
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AOWF600A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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