AOWF600A70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOWF600A70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO262F

Аналог (замена) для AOWF600A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF600A70 даташит

 ..1. Size:708K  aosemi
 aowf600a70.pdf pdf_icon

AOWF600A70

AOWF600A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.1. Size:463K  aosemi
 aowf600a70f.pdf pdf_icon

AOWF600A70

AOWF600A70F TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 6.1. Size:436K  aosemi
 aowf600a60.pdf pdf_icon

AOWF600A70

AOWF600A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOWF095A60, AOWF125A60, AOWF160A60, AOWF190A60C, AOWF360A70, AOWF380A60C, AOWF450A70, AOWF600A60, IRFP064N, AOWF600A70F, AOWF780A70, AOB095A60L, AOB125A60L, AOB160A60L, AOB190A60CL, AOB190A60L, AOB280A60L