Справочник MOSFET. AOWF600A70

 

AOWF600A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOWF600A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO262F
 

 Аналог (замена) для AOWF600A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF600A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  aosemi
 aowf600a70.pdf pdf_icon

AOWF600A70

AOWF600A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.1. Size:463K  aosemi
 aowf600a70f.pdf pdf_icon

AOWF600A70

AOWF600A70FTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 6.1. Size:436K  aosemi
 aowf600a60.pdf pdf_icon

AOWF600A70

AOWF600A60TM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOWF095A60 , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , AOWF360A70 , AOWF380A60C , AOWF450A70 , AOWF600A60 , 5N50 , AOWF600A70F , AOWF780A70 , AOB095A60L , AOB125A60L , AOB160A60L , AOB190A60CL , AOB190A60L , AOB280A60L .

History: IPD040N03L | OSG60R099KT3F | ME4413D-G | AP2762I-A-HF | IPB65R420CFD | DMG6402LDM | RQ3E070BN

 

 
Back to Top

 


 
.