AOTL095A60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTL095A60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TOLL

 Búsqueda de reemplazo de AOTL095A60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOTL095A60 datasheet

 ..1. Size:452K  aosemi
aotl095a60.pdf pdf_icon

AOTL095A60

AOTL095A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOB66616L, AOB66620L, AOB66811L, AOB66916L, AOB66919L, AOB66920L, AOB66935L, AOB780A70L, P55NF06, AOTL125A60, AOTL130A60FD, AOTL160A60, AOTL190A60, AOTL42A60E, AOTL66215, AOTL66401, AOTL66515