AOTL095A60 Todos los transistores

 

AOTL095A60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTL095A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

 Búsqueda de reemplazo de AOTL095A60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOTL095A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  aosemi
 aotl095a60.pdf pdf_icon

AOTL095A60

AOTL095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOB66616L , AOB66620L , AOB66811L , AOB66916L , AOB66919L , AOB66920L , AOB66935L , AOB780A70L , IRFB4115 , AOTL125A60 , AOTL130A60FD , AOTL160A60 , AOTL190A60 , AOTL42A60E , AOTL66215 , AOTL66401 , AOTL66515 .

History: IRH7250 | SI4848DY

 

 
Back to Top

 


 
.