Справочник MOSFET. AOTL095A60

 

AOTL095A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTL095A60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для AOTL095A60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL095A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  aosemi
 aotl095a60.pdf pdf_icon

AOTL095A60

AOTL095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOB66616L , AOB66620L , AOB66811L , AOB66916L , AOB66919L , AOB66920L , AOB66935L , AOB780A70L , IRFB4115 , AOTL125A60 , AOTL130A60FD , AOTL160A60 , AOTL190A60 , AOTL42A60E , AOTL66215 , AOTL66401 , AOTL66515 .

History: IPD105N04LG | ISL9N310AD3 | WFY6N02 | SUD50N10-34P

 

 
Back to Top

 


 
.