AOTL095A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL095A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для AOTL095A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL095A60 даташит

 ..1. Size:452K  aosemi
 aotl095a60.pdf pdf_icon

AOTL095A60

AOTL095A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOB66616L, AOB66620L, AOB66811L, AOB66916L, AOB66919L, AOB66920L, AOB66935L, AOB780A70L, P55NF06, AOTL125A60, AOTL130A60FD, AOTL160A60, AOTL190A60, AOTL42A60E, AOTL66215, AOTL66401, AOTL66515