AOTL42A60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOTL42A60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 367 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.109 Ohm
Encapsulados: TOLL
Búsqueda de reemplazo de AOTL42A60E MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AOTL42A60E datasheet
aotl42a60e.pdf
AOTL42A60E TM 600V, a MOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AOB66920L, AOB66935L, AOB780A70L, AOTL095A60, AOTL125A60, AOTL130A60FD, AOTL160A60, AOTL190A60, IRF9540, AOTL66215, AOTL66401, AOTL66515, AOTL66518, AOTL66608, AOTL66610, AOTL66810, AOTL66810Q
History: APT50M75JFLL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934
