AOTL42A60E Todos los transistores

 

AOTL42A60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTL42A60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 367 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.109 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

 Búsqueda de reemplazo de AOTL42A60E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOTL42A60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  aosemi
 aotl42a60e.pdf pdf_icon

AOTL42A60E

AOTL42A60ETM600V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOB66920L , AOB66935L , AOB780A70L , AOTL095A60 , AOTL125A60 , AOTL130A60FD , AOTL160A60 , AOTL190A60 , K3569 , AOTL66215 , AOTL66401 , AOTL66515 , AOTL66518 , AOTL66608 , AOTL66610 , AOTL66810 , AOTL66810Q .

History: C3M0065100K | VBE165R07

 

 
Back to Top

 


 
.